توضیحات
Type Designator: 2N5551
Material of Transistor: Si
Polarity: NPN
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 0.31 W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 180 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 160 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 6 V
Maximum Collector Current |Ic max|: 0.6 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 135 °C
Transition Frequency (ft): 100 MHz
Collector Capacitance (Cc): 6 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 80
توضیحات تکمیلی
وزن | 2 گرم |
---|
نظرات (0)
اولین کسی باشید که دیدگاهی می نویسد “ترانزیستور2N5551” لغو پاسخ
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.